我們該如何檢測IGBT模塊呢?
2022-03-26 11:52:23 責(zé)任編輯:東莞市銳訊電子科技有限公司 0
在電路中,IGBT也是我們常用的電子元器件之一,那我們該如何檢測呢?下面我跟大家介紹一下檢測IGBT模塊的好壞的方法:
1、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋,用萬用表測量時,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極( G )。其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。
在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極( C ) :黑表筆接的為發(fā)射極( E )。
2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔,用黑表筆接 IGBT 的集電極( C ) ,紅表筆接 IGBT 的發(fā)射極 ( E ) ,此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極( G )和集電極( C ) ,這時工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站們指示在某一位置。
然后再用手指同時觸及一下柵極( G )和發(fā)射極( E ) ,這時 IGBT 被阻斷,萬用表的指針 回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。
3 、注意事項任何指針式萬用表鈴可用于檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用表撥在 R×IOK擋,因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應(yīng)晶體管 ( P 一 MOSFET )的好壞。
IGBT模塊注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點:
1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;
2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外,在柵極—發(fā)射極間開路時,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在安裝或更換IGBT模塊時,應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。
保存注意事項:
1. 一般保存IGBT模塊的場所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃ ,常濕的規(guī)定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū),需用加濕機加濕。
2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。
3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。
4. 保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。
5. 裝IGBT模塊的容器,應(yīng)選用不帶靜電的容器。
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