跟雙極晶體管相比，一般認為只需GS電壓高于一定值，MOS管驅動的導通就不需求電流。這很簡單做到，但咱們依然需求速度。

在MOS管驅動的結構中，能夠看出GS和Gd之間存在寄生電容，MOS管驅動的驅動實際上是電容的充放電。為電容器充電需求電流，因為電容器在充電時可視為短路，因而瞬時電流會相對較大。在挑選/規劃MOS管驅動器時，首先要留意瞬時短路電流的巨細。

第二，應該留意的是，關于一般用于高端驅動器的NMOS，在開啟時柵極電壓需求大于源極電壓。當高端驅動的MOS管驅動接通時，源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，因而柵極電壓比VCC大4V或10V。如果你想在同一個體系中取得高于VCC的電壓，你需求一個特別的升壓電路。許多電機驅動器都集成了電荷泵。應留意，應挑選適當的外部電容器，以取得足夠的短路電流來驅動MOS晶體管。

上述4V或10V是常用MOS管的導通電壓。當然，在規劃中需求一定的余量。電壓越高，導通速度越快，導通電阻越小。目前，導通電壓較小的MOS管驅動應用于不同的領域，但在12V轎車電子體系中，4V導通一般就足夠了。